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2N6661JTX02
- Número de pieza:
- 2N6661JTX02
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13406 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N6661JTX02.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N6661JTX02, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N6661JTX02 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-39 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N6661JTX02 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 90V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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