| Imagen |
Número de pieza |
Fabricantes |
Descripción |
Ver |
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BLF1721M8LS200U |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B |
Investigación |
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BLF6G10LS-160,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS SOT502B |
Investigación |
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A2I08H040GNR1 |
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS AMP |
Investigación |
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BLF25M612G,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C |
Investigación |
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MRF6S9125MBR1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 |
Investigación |
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PTFA190451EV4R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 |
Investigación |
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BLF184XRSU |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B |
Investigación |
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RFM12U7X(TE12L,Q) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH PW-X |
Investigación |
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AFV121KGSR5 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS |
Investigación |
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MRF8S21200HR6 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H |
Investigación |
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PD55015STR-E |
STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 |
Investigación |
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J300_D26Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V TO92 |
Investigación |
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NE3511S02-A |
CEL |
HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
Investigación |
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BLF871,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C |
Investigación |
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MRF8S21100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS |
Investigación |
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MRF7S21110HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
Investigación |
 |
BF862,215 |
NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 25MA SOT23 |
Investigación |
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AFT05MS006NT1 |
NXP USA Inc. |
FET RF 30V 520MHZ PLD |
Investigación |
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MRF9085LSR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 880MHZ NI-780S |
Investigación |
|
MRF8S26060HR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.69GHZ |
Investigación |
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BLF6G20-75,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A |
Investigación |
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MRF6VP41KHSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S |
Investigación |
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BLC8G24LS-240AVZ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 |
Investigación |
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VRF154FLMP |
Microsemi Corporation |
RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD |
Investigación |
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BLF6G10L-40BRN,118 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A |
Investigación |
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NE5550979A-A |
CEL |
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
Investigación |
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RFM03U3CT(TE12L) |
Toshiba Semiconductor and Storage |
MOSFET N-CH RF-CST3 |
Investigación |
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BLP25M710Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN |
Investigación |
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PTFA211801F V4 |
Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 |
Investigación |
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BLF184XRGQ |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C |
Investigación |
|
BF244C |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 50MA TO92 |
Investigación |
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PTFA220041MV4R1KXUMA1 |
Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS |
Investigación |
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BF256C_J35Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 18MA TO92 |
Investigación |
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MRF6S23100HSR5 |
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S |
Investigación |
 |
BLC2425M8LS300PY |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 |
Investigación |
 |
SD57045-01 |
STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ M250 |
Investigación |
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275-201N25A-00 |
IXYS |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275 |
Investigación |
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BLF8G22LS-160BV,11 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B |
Investigación |
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2N5484_D26Z |
Fairchild/ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 5MA TO92 |
Investigación |
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BLP7G22-05Z |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN |
Investigación |
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PTVA093002TCV1R250XUMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
Investigación |
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MRF6V12500HR3 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H |
Investigación |
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BLF6G20LS-110,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B |
Investigación |
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MMRF1317HR5 |
NXP USA Inc. |
TRANS 1030-1090MHZ 1300W 50V |
Investigación |
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PTRA093302DCV1R0XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 |
Investigación |
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BLF147,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET NCHA 65V 14DB SOT121B |
Investigación |
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BF909WR,115 |
NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 |
Investigación |
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BLD6G21L-50,112 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A |
Investigación |
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NE34018-T1-64-A |
CEL |
FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
Investigación |
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PXFC192207SHV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS |
Investigación |
