Comprar PTFA190451EV4R250XTMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
PTFA190451EV4R250XTMA1
- Número de pieza:
- PTFA190451EV4R250XTMA1
- Descripción:
- IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19476 Pieces
- Ficha de datos:
- PTFA190451EV4R250XTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTFA190451EV4R250XTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTFA190451EV4R250XTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | H-36265-2 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 11W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Otros nombres: | PTFA190451E V4 R250 PTFA190451E V4 R250-ND SP000465600 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PTFA190451EV4R250XTMA1 |
| Ganancia: | 17.5dB |
| Frecuencia: | 1.96GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 1.96GHz 17.5dB 11W H-36265-2 |
| Descripción: | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 |
| Valoración actual: | 10µA |
| Corriente - Prueba: | 450mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PTFA190451EV4R250XTMA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192401FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Investigación |
|
PTFA190451FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Investigación |
 |
PTFA190451EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | Investigación |
|
PTFA190451FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Investigación |
|
PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | Investigación |
|
PTFA192001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | Investigación |
|
PTFA191001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 | Investigación |
 |
PTFA192001EV4T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog