Comprar PTFA192001F V4 R250 con BYCHPS
Compre con garantía
PTFA192001F V4 R250
- Número de pieza:
- PTFA192001F V4 R250
- Descripción:
- IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14168 Pieces
- Ficha de datos:
- PTFA192001F V4 R250.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTFA192001F V4 R250, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTFA192001F V4 R250 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 30V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | H-37260-2 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 50W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Otros nombres: | SP000393369 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PTFA192001F V4 R250 |
| Ganancia: | 15.9dB |
| Frecuencia: | 1.99GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2 |
| Descripción: | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 |
| Valoración actual: | 10µA |
| Corriente - Prueba: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PTFA192001F V4 R250
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001FV4FWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | Investigación |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Investigación |
|
PTFA192001EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Investigación |
 |
PTFA192001EV4T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | Investigación |
|
PTFA192001E1V4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Investigación |
|
PTFA192001EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | Investigación |
|
PTFA192001E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers