Comprar MRF8S21200HR6 con BYCHPS
Compre con garantía
MRF8S21200HR6
- Número de pieza:
- MRF8S21200HR6
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12841 Pieces
- Ficha de datos:
- MRF8S21200HR6.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MRF8S21200HR6, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MRF8S21200HR6 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | NI-1230 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 48W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | NI-1230 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | MRF8S21200HR6 |
| Ganancia: | 18.1dB |
| Frecuencia: | 2.14GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.4A 2.14GHz 18.1dB 48W NI-1230 |
| Descripción: | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MRF8S21200HR6
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8S21200HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | Investigación |
|
MRF8S21200HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | Investigación |
 |
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Investigación |
|
MRF8S21140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | Investigación |
|
MRF8S21140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | Investigación |
 |
MRF8S21100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S | Investigación |
 |
MRF8S21200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H | Investigación |
|
MRF8S21100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | Investigación |
|
MRF8S21120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | Investigación |
 |
MRF8S21120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Investigación |
|
MRF8S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | Investigación |
|
MRF8S21140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog