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TPH3205WSB
- Número de pieza:
- TPH3205WSB
- Fabricante:
- Transphorm
- Descripción:
- GAN FET 650V 36A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17723 Pieces
- Ficha de datos:
- TPH3205WSB.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPH3205WSB, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPH3205WSB por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.6V @ 700µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 22A, 8V |
| La disipación de energía (máximo): | 125W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TPH3205WSB |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 400V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | GAN FET 650V 36A TO247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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