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TPH2R506PL,L1Q
- Número de pieza:
- TPH2R506PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18222 Pieces
- Ficha de datos:
- TPH2R506PL,L1Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPH2R506PL,L1Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPH2R506PL,L1Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSIX-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 134W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TPH2R506PL,L1Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5435pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 100A 134W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
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