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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD19501KCS
CSD19501KCS
Número de pieza:
CSD19501KCS
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19994 Pieces
Ficha de datos:
CSD19501KCS.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.6 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):217W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:296-37286-5
CSD19501KCS-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD19501KCS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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