TPH1110FNH,L1Q
TPH1110FNH,L1Q
Número de pieza:
TPH1110FNH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13618 Pieces
Ficha de datos:
TPH1110FNH,L1Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:112 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta), 57W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-ND
TPH1110FNHL1QTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TPH1110FNH,L1Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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