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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD17575Q3T
CSD17575Q3T
Número de pieza:
CSD17575Q3T
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17811 Pieces
Ficha de datos:
CSD17575Q3T.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 108W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-37961-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD17575Q3T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4420pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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