TPC8A06-H(TE12LQM)
Número de pieza:
TPC8A06-H(TE12LQM)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15542 Pieces
Ficha de datos:
TPC8A06-H(TE12LQM).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10.1 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:TPC8A06HTE12LQM
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TPC8A06-H(TE12LQM)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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