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TPC8A06-H(TE12LQM)
- Número de pieza:
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15542 Pieces
- Ficha de datos:
- TPC8A06-H(TE12LQM).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPC8A06-H(TE12LQM), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPC8A06-H(TE12LQM) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Otros nombres: | TPC8A06HTE12LQM |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPC8A06-H(TE12LQM) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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