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TPC8021-H(TE12LQ,M
- Número de pieza:
- TPC8021-H(TE12LQ,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13689 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPC8021-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8021-H(TE12LQ,M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPC8021-H(TE12LQ,M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPC8021-H(TE12LQ,M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 17 mOhm @ 5.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPC8021-H(TE12LQ,M |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 640pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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