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TPC8012-H(TE12L,Q)
- Número de pieza:
- TPC8012-H(TE12L,Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19475 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TPC8012-H(TE12L,Q), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TPC8012-H(TE12L,Q) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | π-MOSV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Otros nombres: | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | TPC8012-H(TE12L,Q) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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