Comprar TK9J90E,S1E con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 900µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-3P(N) |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 250W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Otros nombres: | TK9J90E,S1E(S TK9J90ES1E |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TK9J90E,S1E |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
Descripción: | MOSFET N-CH 900V TO-3PN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
Email: | [email protected] |