Comprar IXTP110N055T con BYCHPS
Compre con garantía
IXTP110N055T
- Número de pieza:
- IXTP110N055T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16750 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTP110N055T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTP110N055T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTP110N055T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 230W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXTP110N055T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3080pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 67nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 110A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTP110N055T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP12N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 | Investigación |
|
IXTP170N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 170A TO-220 | Investigación |
|
IXTP15N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 | Investigación |
|
IXTP1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 | Investigación |
|
IXTP10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-220 | Investigación |
|
IXTP110N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 | Investigación |
|
IXTP1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB | Investigación |
|
IXTP120P065T | IXYS | MOSFET P-CH 65V 120A TO-220 | Investigación |
|
IXTP110N055P | IXYS | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 | Investigación |
|
IXTP182N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 182A TO-220 | Investigación |
|
IXTP152N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 152A TO-220 | Investigación |
|
IXTP1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog