Comprar TK8A50DA(STA4,Q,M) con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.4V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220SIS |
Serie: | π-MOSVII |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.04 Ohm @ 3.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 35W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres: | TK8A50DA(STA4QM) TK8A50DASTA4QM |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TK8A50DA(STA4,Q,M) |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 7.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |