IRFSL23N20D
IRFSL23N20D
Número de pieza:
IRFSL23N20D
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19225 Pieces
Ficha de datos:
IRFSL23N20D.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 170W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRFSL23N20D
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFSL23N20D
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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