Comprar TK5Q60W,S1VQ con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 270µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | DTMOSIV |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 60W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Otros nombres: | TK5Q60W,S1VQ(S TK5Q60WS1VQ |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TK5Q60W,S1VQ |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 300V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Super Junction |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.4A (Ta) |
Email: | [email protected] |