Comprar IXFT80N15Q con BYCHPS
Compre con garantía
IXFT80N15Q
- Número de pieza:
- IXFT80N15Q
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14531 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFT80N15Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFT80N15Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFT80N15Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-268 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 22.5 mOhm @ 40A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFT80N15Q |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4500pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 150V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFT80N15Q
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD19534Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | Investigación |
 |
IXFT80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 | Investigación |
 |
IXFT88N28P | IXYS | MOSFET N-CH 280V 88A TO268 | Investigación |
|
IXFT80N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 | Investigación |
|
IXFT80N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 | Investigación |
|
IXFT80N08 | IXYS | MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 | Investigación |
 |
IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | Investigación |
|
IXFT80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 | Investigación |
 |
STU95N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A IPAK | Investigación |
 |
HUFA76645P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220A | Investigación |
 |
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V D2PAK | Investigación |
 |
IRF7468TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC | Investigación |
|
IXFT88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 | Investigación |
|
IXFT86N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 86A TO268 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog