TK50E06K3(S1SS-Q)
TK50E06K3(S1SS-Q)
Número de pieza:
TK50E06K3(S1SS-Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14105 Pieces
Ficha de datos:
TK50E06K3(S1SS-Q).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:-
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:TK50E06K3S1SSQ
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:TK50E06K3(S1SS-Q)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Característica de FET:-
Descripción ampliada:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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