Comprar IXFH11N80 con BYCHPS
Compre con garantía
IXFH11N80
- Número de pieza:
- IXFH11N80
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12563 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFH11N80.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH11N80, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH11N80 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247AD (IXFH) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 950 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Número de pieza del fabricante: | IXFH11N80 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFH11N80
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | Investigación |
|
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | Investigación |
|
IXFH10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 | Investigación |
|
IXFH110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | Investigación |
|
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | Investigación |
|
IXFH110N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 | Investigación |
|
IXFH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | Investigación |
|
IXFH160N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | Investigación |
|
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | Investigación |
|
IXFH150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 | Investigación |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | Investigación |
|
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | Investigación |
|
IXFH15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | Investigación |
|
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Investigación |
|
IXFH16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | Investigación |
|
IXFH160N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | Investigación |
|
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | Investigación |
|
IXFH10N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog