TK3R1A04PL,S4X
TK3R1A04PL,S4X
Número de pieza:
TK3R1A04PL,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20138 Pieces
Ficha de datos:
TK3R1A04PL,S4X.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:U-MOSIX-H
RDS (Max) @Id, Vgs:3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):36W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PLS4X
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK3R1A04PL,S4X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4670pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:63.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 82A 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:82A
Email:[email protected]

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