HUF75333S3ST
HUF75333S3ST
Número de pieza:
HUF75333S3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15187 Pieces
Ficha de datos:
HUF75333S3ST.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 66A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HUF75333S3ST
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:85nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 66A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

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