TK3A65D(STA4,Q,M)
TK3A65D(STA4,Q,M)
Número de pieza:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16198 Pieces
Ficha de datos:
1.TK3A65D(STA4,Q,M).pdf2.TK3A65D(STA4,Q,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:π-MOSVII
RDS (Max) @Id, Vgs:2.25 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK3A65D(STA4,Q,M)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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