TK25A60X,S5X
TK25A60X,S5X
Número de pieza:
TK25A60X,S5X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19655 Pieces
Ficha de datos:
TK25A60X,S5X.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV-H
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:TK25A60X,S5X(M
TK25A60XS5X
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK25A60X,S5X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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