NVB25P06T4G
NVB25P06T4G
Número de pieza:
NVB25P06T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14227 Pieces
Ficha de datos:
NVB25P06T4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:82 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):120W (Tj)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Número de pieza del fabricante:NVB25P06T4G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27.5A (Ta)
Email:[email protected]

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