AOT20N60L
Número de pieza:
AOT20N60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16065 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT20N60L.pdf2.AOT20N60L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:370 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):417W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:AOT20N60L-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT20N60L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:74nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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