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TK12E80W,S1X
- Número de pieza:
- TK12E80W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14482 Pieces
- Ficha de datos:
- TK12E80W,S1X.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK12E80W,S1X, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK12E80W,S1X por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 570µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220 |
| Serie: | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 165W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | TK12E80W,S1X(S TK12E80WS1X |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TK12E80W,S1X |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 300V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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