TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X
Número de pieza:
TK12A80W,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16360 Pieces
Ficha de datos:
TK12A80W,S4X.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 570µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:450 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
Temperatura de funcionamiento:150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK12A80W,S4X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 11.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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