VN2410LZL1G
Número de pieza:
VN2410LZL1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15149 Pieces
Ficha de datos:
VN2410LZL1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):350mW (Tc)
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:VN2410LZL1G-ND
VN2410LZL1GOSTB
VN2410LZL1GOSTR
VN2410LZL1GOSTR-ND
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:VN2410LZL1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:125pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 240V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:240V
Descripción:MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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