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TK10E60W,S1VX
- Número de pieza:
- TK10E60W,S1VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14206 Pieces
- Ficha de datos:
- TK10E60W,S1VX.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK10E60W,S1VX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK10E60W,S1VX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220 |
| Serie: | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | TK10E60W,S1VX(S TK10E60WS1VX |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TK10E60W,S1VX |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 300V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Super Junction |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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