MCH3382-TL-W
MCH3382-TL-W
Número de pieza:
MCH3382-TL-W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19404 Pieces
Ficha de datos:
MCH3382-TL-W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 1mA
Vgs (Max):±9V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70FL/MCPH3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:198 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):800mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-3 Flat Leads
Otros nombres:MCH3382-TL-W-ND
MCH3382-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:MCH3382-TL-W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SC-70FL/MCPH3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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