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TK100L60W,VQ
- Número de pieza:
- TK100L60W,VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19674 Pieces
- Ficha de datos:
- TK100L60W,VQ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK100L60W,VQ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK100L60W,VQ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-3P(L) |
| Serie: | DTMOSIV |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 797W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-3PL |
| Otros nombres: | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TK100L60W,VQ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15000pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Super Junction |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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