TK100A06N1,S4X
TK100A06N1,S4X
Número de pieza:
TK100A06N1,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15799 Pieces
Ficha de datos:
TK100A06N1,S4X.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X-ND
TK100A06N1S4X
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK100A06N1,S4X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:140nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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