TF412ST5G
TF412ST5G
Número de pieza:
TF412ST5G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16939 Pieces
Ficha de datos:
TF412ST5G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:180mV @ 1µA
Tensión - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Paquete del dispositivo:SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Serie:-
Resistencia - RDS (on):-
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:TF412ST5GOSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:TF412ST5G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descripción ampliada:JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
Consumo de corriente (Id) - Max:10mA
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):1.2mA @ 10V
Email:[email protected]

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