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MV2N5116
- Número de pieza:
- MV2N5116
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- P CHANNEL JFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13697 Pieces
- Ficha de datos:
- MV2N5116.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para MV2N5116, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para MV2N5116 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 6V @ 1nA |
|---|---|
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | TO-18 (TO-206AA) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500 |
| Resistencia - RDS (on): | 100 Ohm |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | MV2N5116 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 27pF @ 15V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Descripción ampliada: | JFET P-Channel 25mA @ 15V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | P CHANNEL JFET |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 25mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
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