SUP85N02-03-E3
SUP85N02-03-E3
Número de pieza:
SUP85N02-03-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15304 Pieces
Ficha de datos:
1.SUP85N02-03-E3.pdf2.SUP85N02-03-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 2mA (Min)
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 30A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SUP85N02-03-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:21250pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:200nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 85A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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