STU9HN65M2
STU9HN65M2
Número de pieza:
STU9HN65M2
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12188 Pieces
Ficha de datos:
STU9HN65M2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs:820 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:497-16026-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:STU9HN65M2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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