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SPP03N60S5HKSA1
SPP03N60S5HKSA1
Número de pieza:
SPP03N60S5HKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14266 Pieces
Ficha de datos:
SPP03N60S5HKSA1.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 135µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):38W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPP03N60S5HKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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