STU150N3LLH6
STU150N3LLH6
Número de pieza:
STU150N3LLH6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16118 Pieces
Ficha de datos:
STU150N3LLH6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs:3.3 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:497-12693-5
STU150N3LLH6-ND
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STU150N3LLH6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4040pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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