Comprar STU13N65M2 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | IPAK (TO-251) |
Serie: | MDmesh™ M2 |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 430 mOhm @ 5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres: | 497-15574-5 |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | STU13N65M2 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 10A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |