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STS9P2UH7
- Número de pieza:
- STS9P2UH7
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14737 Pieces
- Ficha de datos:
- STS9P2UH7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STS9P2UH7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STS9P2UH7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | STripFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.7W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 497-15155-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | STS9P2UH7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 16V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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