IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF
Número de pieza:
IRF5802TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19312 Pieces
Ficha de datos:
IRF5802TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Micro6™(TSOP-6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 540mA, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:IRF5802TRPBF-ND
IRF5802TRPBFTR
SP001561828
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF5802TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:88pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

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