IRF5800
IRF5800
Número de pieza:
IRF5800
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15260 Pieces
Ficha de datos:
IRF5800.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Micro6™(TSOP-6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF5800
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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