STFI7LN80K5
STFI7LN80K5
Número de pieza:
STFI7LN80K5
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13919 Pieces
Ficha de datos:
1.STFI7LN80K5.pdf2.STFI7LN80K5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAKFP (TO-281)
Serie:MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.15 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:497-16494-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:STFI7LN80K5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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