FDMA86551L
FDMA86551L
Número de pieza:
FDMA86551L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 6-MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18695 Pieces
Ficha de datos:
FDMA86551L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMA86551LTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMA86551L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1235pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 7.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 6-MLP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

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