FDMA86265P
FDMA86265P
Número de pieza:
FDMA86265P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12970 Pieces
Ficha de datos:
FDMA86265P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMA86265PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMA86265P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 150V 1A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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