STB45N60DM2AG
STB45N60DM2AG
Número de pieza:
STB45N60DM2AG
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 34A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15805 Pieces
Ficha de datos:
STB45N60DM2AG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 17A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-16129-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:STB45N60DM2AG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 34A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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