SQD45P03-12_GE3
SQD45P03-12_GE3
Número de pieza:
SQD45P03-12_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14013 Pieces
Ficha de datos:
SQD45P03-12_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):71W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SQD45P03-12-GE3
SQD45P03-12-GE3-ND
SQD45P03-12_GE3-ND
SQD45P03-12_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQD45P03-12_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3495pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:83nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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