SQD40N06-14L_GE3
SQD40N06-14L_GE3
Número de pieza:
SQD40N06-14L_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 40A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12117 Pieces
Ficha de datos:
SQD40N06-14L_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252AA
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):75W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SQD40N06-14L-GE3
SQD40N06-14L-GE3-ND
SQD40N06-14L_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQD40N06-14L_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2105pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 40A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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